参数资料
型号: UNR521DR
厂商: PANASONIC CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN
文件页数: 7/17页
文件大小: 552K
代理商: UNR521DR
UNR521x Series
15
SJH00024CED
Characteristics charts of UNR521T
Characteristics charts of UNR521V
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
0
012
210
48
6
40
120
80
160
Collector
current
I
C
(mA
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
Ta
= 25°C
IB
= 1.0 mA
0.7 mA
0.8 mA
0.9 mA
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
10 2
1
10 1
1
10
102
103
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
IC / IB
= 10
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
0
1
480
400
320
240
160
80
10
102
103
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25°C
25
°C
0
1
6
5
4
3
2
1
10
102
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
Collector-base voltage V
CB (V)
f
= 1 MHz
IE
= 0
Ta
= 25°C
1
0.4
10
102
103
104
1.4
1.2
1
0.8
0.6
Output
current
I
O
(
A
)
Input voltage V
IN (V)
VO
= 5 V
Ta
= 25°C
10 2
10 1
1
10
102
110
102
Input
voltage
V
IN
(V)
Output current I
O (mA)
VO
= 0.2 V
Ta
= 25°C
0
012
210
48
6
40
120
80
160
Collector
current
I
C
(mA
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
Ta
= 25°C
IB
= 1.0 mA
0.7 mA
0.8 mA
0.9 mA
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
0.3 mA
0.2 mA
10 2
1
10 1
1
10
102
103
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
IC / IB
= 10
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
0
1
240
200
160
120
80
40
10
102
103
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25°C
25
°C
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
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PDF描述
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UP0.4C-4R7 1 ELEMENT, 4.95 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
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