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参数资料
| 型号： | V59C1G01164QAUF37H |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 16 DDR DRAM, PBGA92 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, FBGA-92 |
| 文件页数： | 38/79页 |
| 文件大小： | 1028K |
| 代理商： | V59C1G01164QAUF37H |
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ProMOS TECHNOLOGIES
V59C1G01(408/808/168)QA
V59C1G01(408/808/168)QA Rev. 1.3 June 2008
Burst Read with Auto-Precharge followed by an activation to the Same Bank (tRC Limit)
RL = 5 (AL = 2, CL = 3), BL = 4, tRTP <= 2 clocks
Burst Read with Auto-Precharge followed by an Activation to the Same Bank (tRAS Limit):
RL = 5 ( AL = 2, CL = 3), BL = 4, tRTP <= 2 clocks
NOP
Bank
Activate
NOP
READ w/AP
Posted CAS
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Dout A0
Dout A1
Dout A2
Dout A3
RL = 5
AL = 2
CL = 3
NOP
CMD
DQ
BR-AP5231
A10 ="high"
tRP
Auto-Precharge Begins
DQS,
DQS
tRAS
tRCmin.
NOP
AL + BL/2
CK, CK
NOP
Bank
Activate
NOP
READ w/AP
Posted CAS
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Dout A0
Dout A1
Dout A2
Dout A3
RL = 5
AL = 2
CL = 3
NOP
CMD
DQ
BR-AP5232
A10 ="high"
tRP
Auto-Precharge Begins
DQS,
DQS
tRC
tRAS(min)
NOP
CK, CK
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PDF描述 |
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