- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录140431 > W25Q20BWSNIP (WINBOND ELECTRONICS CORP) 2M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | W25Q20BWSNIP |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封装： | 0.300 INCH, GREEN, PLASTIC, DIP-8 |
| 文件页数： | 40/70页 |
| 文件大小： | 2106K |
| 代理商： | W25Q20BWSNIP |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页当前第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页
W25Q20BW
Publication Release Date: January 25, 2011
- 45 -
Preliminary - Revision B
8.2.28 Erase / Program Resume (7Ah)
The Erase/Program Resume instruction “7Ah” must be written to resume the Sector or Block Erase
operation or the Page Program operation after an Erase/Program Suspend. The Resume instruction
“7Ah” will be accepted by the device only if the SUS bit in the Status Register equals to 1 and the BUSY
bit equals to 0. After issued the SUS bit will be cleared from 1 to 0 immediately, the BUSY bit will be set
from 0 to 1 within 200ns and the Sector or Block will complete the erase operation or the page will
complete the program operation. If the SUS bit equals to 0 or the BUSY bit equals to 1, the Resume
instruction “7Ah” will be ignored by the device. The Erase/Program Resume instruction sequence is
shown in figure 26.
Resume instruction is ignored if the previous Erase/Program Suspend operation was interrupted by
unexpected power off. It is also required that a subsequent Erase/Program Suspend instruction not to be
issued within a minimum of time of “tSUS” following a previous Resume instruction.
Figure 26. Erase/Program Resume Instruction Sequence
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W25Q64DWZEIP | 256K X 32 SPI BUS SERIAL EEPROM, 7.5 ns, PDSO8 |
| W25Q64DWZPIG | 256K X 32 SPI BUS SERIAL EEPROM, 7.5 ns, PDSO8 |
| W24512-70L | 64K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDIP32 |
| WPS256K4C-20RJM | 256K X 4 STANDARD SRAM, 20 ns, PDSO32 |
| WF1M32C-100G2C | 4M X 8 FLASH 12V PROM MODULE, 100 ns, CQMA68 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W25Q20BWUXIG | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1.8V 2M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q20BWUXIP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1.8V 2M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q20BWZPIG | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1.8V 2M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q20BWZPIP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1.8V 2M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q20CLSNIG | 功能描述:IC FLASH SPI 2MBIT 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。