参数资料
| 型号： | W25Q40BWSNIG |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 58/73页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH SPI 4MBIT 8SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 系列： | SpiFlash® |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 4M (512K x 8) |
| 速度： | 80MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 1.65 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
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W25Q40BW
9.3
Power-Up Power-Down Timing and Requirements
Parameter
VCC (min) to /CS Low
Time Delay Before Write Instruction
Symbol
t VSL (1)
t PUW (1)
MIN
10
1
spec
MAX
10
Unit
μs
ms
Write Inhibit Threshold Voltage
V WI
(1)
1.0
1.4
V
Note:
1. These parameters are characterized only.
VCC
VCC (max)
Program, Erase and Write Instructions are ignored
/CS must track VCC
VCC (min)
Reset
State
tVSL
Read Instructions
Allowed
Device is fully
Accessible
V WI
tPUW
Time
Figure 37a. Power-up Timing and Voltage Levels
/CS must track VCC
during VCC Ramp Up/Down
VCC
/CS
Time
Figure 37b. Power-up, Power-Down Requirement
- 58 -
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W25Q40BWSNIG TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 4MBIT 80MHZ 8SOIC |
| W25Q40BWSNIP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1.8V 4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q40BWSSIG | 功能描述:IC FLASH SPI 4MBIT 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 |
| W25Q40BWSSIG TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 4MBIT 80MHZ 8SOIC |
| W25Q40BWUXIG | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1.8V 4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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