参数资料
| 型号： | W25Q40BWSNIG |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 59/73页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH SPI 4MBIT 8SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 系列： | SpiFlash® |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 4M (512K x 8) |
| 速度： | 80MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 1.65 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
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W25Q40BW
9.4
DC Electrical Characteristics
PARAMETER
Input Capacitance
Output Capacitance
SYMBOL
C IN(1)
Cout (1)
CONDITIONS
V IN = 0V (1)
V OUT = 0V (1)
MIN
SPEC
TYP
MAX
6
8
UNIT
pF
pF
Input Leakage
I/O Leakage
I LI
I LO
±2
±2
μA
μA
Standby Current
Power-down Current
Current Read Data /
Dual /Quad 1MHz
Current Read Data /
Dual /Quad 33MHz
Current Read Data /
Dual Output Read/Quad
Output Read 80MHz
Current Write Status
Register
Current Page Program
Current Sector/Block
Erase
Current Chip Erase
Input Low Voltage
Input High Voltage
Output Low Voltage
Output High Voltage
I CC 1
I CC 2
I CC 3 (2)
I CC 3 (2)
I CC 3 (2)
I CC 4
I CC 5
I CC 6
I CC 7
V IL
V IH
V OL
V OH
/CS = VCC,
VIN = GND or VCC
/CS = VCC,
VIN = GND or VCC
C = 0.1 VCC / 0.9 VCC
DO = Open
C = 0.1 VCC / 0.9 VCC
DO = Open
C = 0.1 VCC / 0.9 VCC
DO = Open
/CS = VCC
/CS = VCC
/CS = VCC
/CS = VCC
I OL = 100 μA
I OH = – 100 μA
– 0.5
VCC x 0.7
VCC – 0.2
25
5
4/5/6
6/8/9
10/10/12
15
20
20
20
50
10
6/10/12
9/12/15
15/20/24
20
25
25
25
VCC x 0.3
VCC + 0.4
0.2
μA
μA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
Notes:
1. Tested on sample basis and specified through design and characterization data. TA = 25° C, VCC = 1.8V.
2. Checker Board Pattern.
Publication Release Date: October 11, 2013
- 59 -
Revision F
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| W25Q40BWSSIG TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 4MBIT 80MHZ 8SOIC |
| W25Q40BWUXIG | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1.8V 4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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