参数资料
| 型号： | W25Q40BWSNIG |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 65/73页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH SPI 4MBIT 8SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 系列： | SpiFlash® |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 4M (512K x 8) |
| 速度： | 80MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 1.65 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
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W25Q40BW
10.2 8-Pin VSOP 150-mil (Package Code SV)
Symbol
A
A1
A2
Q
b
Min
---
0.05
0.75
0.19
0.33
M illimeter s
Nom
---
0.10
0.80
0.20
---
Max
1.00
0.15
0.85
0.21
0.51
Min
---
0.002
0.030
0.007
0.013
Inches
Nom
---
0.004
0.031
0.008
---
Max
0.039
0.006
0.033
0.008
0.020
c
0.125 BSC
0.005 BSC
D
E
E1
4.80
5.80
3.80
4.90
6.00
3.90
5.00
6.20
4.00
0.189
0.228
0.150
0.193
0.236
0.154
0.197
0.244
0.157
e
1.27 BSC
0.050 BSC
L
θ
0.40
0°
0.71
---
1.27
10°
0.016
0°
0.028
---
0.050
10°
Notes:
1. Dimension “D” does not include mold flash, protrusions or gate burrs. Mold flash, protrusions and gate burrs shall not exceed
0.15mm per side.
2. Dimension “E1” does not include inte r-lead flash or protrusions. Inter-lead flash and protrusions shall not exceed 0.25mm per
side.
Publication Release Date: October 11, 2013
- 65 -
Revision F
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