参数资料
| 型号： | W25Q80BWSNIG |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 59/74页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH SPI 8MBIT 8SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 系列： | SpiFlash® |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 8M（1M x 8） |
| 速度： | 80MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 1.65 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
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W25Q80BW
8.3
Power-up Timing and Write Inhibit Threshold
Parameter
VCC (min) to /CS Low
Time Delay Before Write Instruction
Symbol
t VSL (1)
t PUW (1)
MIN
10
1
spec
MAX
10
Unit
μs
ms
Write Inhibit Threshold Voltage
V WI
(1)
1.0
1.4
V
Note:
1. These parameters are characterized only.
VCC
VCC (max)
Program, Erase and Write Instructions are ignored
/CS must track VCC
VCC (min)
Reset
State
tVSL
Read Instructions
Allowed
Device is fully
Accessible
V WI
tPUW
Time
Figure 37. Power-up Timing and Voltage Levels
Figure 37b. Power-up, Power-Down Requirement
Publication Release Date: July 30, 2013
- 59 -
Revision J
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PDF描述 |
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