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参数资料
| 型号： | W25Q80BWSNIP |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 8M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封装： | 3.81 MM, GREEN, PLASTIC, SOIC-8 |
| 文件页数： | 25/71页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | W25Q80BWSNIP |
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W25Q80BW
Publication Release Date: January 26, 2011
- 31 -
Preliminary - Revision A
Figure 14b. Fast Read Quad I/O Instruction Sequence (Previous instruction set M5-4 = 10)
Fast Read Quad I/O with “8/16/32/64-Byte Wrap Around”
The Fast Read Quad I/O instruction can also be used to access a specific portion within a page by
issuing a “Set Burst with Wrap” command prior to EBh. The “Set Burst with Wrap” command can either
enable or disable the “Wrap Around” feature for the following EBh commands. When “Wrap Around” is
enabled, the data being accessed can be limited to either a 8, 16, 32 or 64-byte section of a 256-byte
page. The output data starts at the initial address specified in the instruction, once it reaches the ending
boundary of the 8/16/32/64-byte section, the output will wrap around to the beginning boundary
automatically until /CS is pulled high to terminate the command.
The Burst with Wrap feature allows applications that use cache to quickly fetch a critical address and then
fill the cache afterwards within a fixed length (8/16/32/64-byte) of data without issuing multiple read
commands.
The “Set Burst with Wrap” instruction allows three “Wrap Bits”, W6-4 to be set. The W4 bit is used to
enable or disable the “Wrap Around” operation while W6-5 are used to specify the length of the wrap
around section within a page. See 8.2.18 for detail descriptions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WPD1M16B-80TJC | 1M X 16 FAST PAGE DRAM, 80 ns, PDSO42 |
| WPD1M16C-80TJC | 1M X 16 FAST PAGE DRAM, 80 ns, PDSO42 |
| WPS512K8LT-85GM | 512K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDSO32 |
| WPDE4M4VB70MJI | 4M X 4 EDO DRAM, 70 ns, PDSO24 |
| WF2M32BI-90HC5A | 8M X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 90 ns, CHIP66 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W25Q80BWSSIG | 功能描述:IC FLASH SPI 8MBIT 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 |
| W25Q80BWSSIP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1.8V 8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q80BWUXIG | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1.8V 8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q80BWUXIP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1.8V 8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q80BWZPIG | 功能描述:IC FLASH SPI 8MBIT 8WSON RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
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