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参数资料
| 型号： | W25Q80BWSNIP |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 8M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封装： | 3.81 MM, GREEN, PLASTIC, SOIC-8 |
| 文件页数： | 55/71页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | W25Q80BWSNIP |
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W25Q80BW
Publication Release Date: January 26, 2011
- 59 -
Preliminary - Revision A
9.4 DC Electrical Characteristics
PARAMETER
SYMBOL CONDITIONS
SPEC
UNIT
MIN
TYP
MAX
Input Capacitance
CIN(1)
VIN = 0V(1)
6
pF
Output Capacitance
Cout(1)
VOUT = 0V(1)
8
pF
Input Leakage
ILI
±2
A
I/O Leakage
ILO
±2
A
Standby Current
ICC1
/CS = VCC,
VIN = GND or VCC
25
50
A
Power-down Current
ICC2
/CS = VCC,
VIN = GND or VCC
1
5
A
Current Read Data /
Dual /Quad 1MHz(2)
ICC3
C = 0.1 VCC / 0.9 VCC
DO = Open
4/5/6
6/7.5/9
mA
Current Read Data /
Dual /Quad 33MHz(2)
ICC3
C = 0.1 VCC / 0.9 VCC
DO = Open
6/7/8
9/10.5/12
mA
Current Read Data /
Dual /Quad 50MHz(2)
ICC3
C = 0.1 VCC / 0.9 VCC
DO = Open
7/8/9
10/12/13.5
mA
Current Read Data /
Dual Output Read/Quad
Output Read 80MHz(2)
ICC3
C = 0.1 VCC / 0.9 VCC
DO = Open
10/11/12
15/16.5/18
mA
Current Write Status
Register
ICC4
/CS = VCC
8
12
mA
Current Page Program
ICC5
/CS = VCC
20
25
mA
Current Sector/Block
Erase
ICC6
/CS = VCC
20
25
mA
Current Chip Erase
ICC7
/CS = VCC
20
25
mA
Input Low Voltage
VIL
VCC x 0.3
V
Input High Voltage
VIH
VCC x 0.7
V
Output Low Voltage
VOL
IOL = 100 A
0.2
V
Output High Voltage
VOH
IOH = –100 A
VCC – 0.2
V
Notes:
1. Tested on sample basis and specified through design and characterization data. TA = 25° C, VCC = 1.8V.
2. Checker Board Pattern.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WPD1M16B-80TJC | 1M X 16 FAST PAGE DRAM, 80 ns, PDSO42 |
| WPD1M16C-80TJC | 1M X 16 FAST PAGE DRAM, 80 ns, PDSO42 |
| WPS512K8LT-85GM | 512K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDSO32 |
| WPDE4M4VB70MJI | 4M X 4 EDO DRAM, 70 ns, PDSO24 |
| WF2M32BI-90HC5A | 8M X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 90 ns, CHIP66 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W25Q80BWSSIG | 功能描述:IC FLASH SPI 8MBIT 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 |
| W25Q80BWSSIP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1.8V 8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q80BWUXIG | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1.8V 8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q80BWUXIP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1.8V 8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q80BWZPIG | 功能描述:IC FLASH SPI 8MBIT 8WSON RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
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