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参数资料
| 型号： | W9425G6EH-5 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 18/54页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR-400 SDRAM 256MB 66TSSOPII |
| 标准包装： | 108 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR SDRAM |
| 存储容量： | 256M（16Mx16） |
| 速度： | 250MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 66-TSOP II |
| 包装： | 托盘 |
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W9425G6EH
8. OPERATION MODE
The following table shows the operation commands.
8.1
Simplified Truth Table
SYM.
COMMAND
DEVICE
STATE
CKEn-1 CKEn
DM
(4)
BA0,
BA1
A10
A12,
A11,
A9-A0
CS
RAS
CAS
WE
ACT
Bank Active
Idle
(3)
H
X
X
V
V
V
L
L
H
H
Any
PRE
PREA
Bank Precharge
Precharge All
(3)
Any
H
H
X
X
X
X
V
X
L
H
X
X
L
L
L
L
H
H
L
L
WRIT
Write
Active
(3)
H
X
X
V
L
V
L
H
L
L
Active
WRITA
Write with Auto-
precharge
(3)
H
X
X
V
H
V
L
H
L
L
READ
Read
Active
(3)
H
X
X
V
L
V
L
H
L
H
Active
Active
READA
MRS
EMRS
NOP
BST
DSL
AREF
SELF
SELEX
PD
PDEX
WDE
WDD
Read with Auto-
precharge
Mode Register Set
Extended Mode
Register Set
No Operation
Burst Read Stop
Device Deselect
Auto Refresh
Self Refresh Entry
Self Refresh Exit
Power Down
Mode Entry
Power Down
Mode Exit
Data Write Enable
Data Write Disable
(3)
Idle
Idle
Any
Active
Any
Idle
Idle
Idle (Self
Refresh)
Idle/
(5)
Any (Power
Down)
Active
Active
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
L
H
H
X
X
X
X
X
X
H
L
H
L
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
H
V
L, L
H, L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
H
C
V
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
V
C
V
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
L
L
L
H
L
L
H
L
H
L
H
L
X
X
H
L
L
H
H
X
L
L
X
H
X
H
X
H
X
X
L
L
L
H
H
X
L
L
X
H
X
H
X
H
X
X
H
L
L
H
L
X
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
Notes :
1. V = Valid
X = Don’t Care
L = Low level
H = High level
2. CKE n signal is input level when commands are issued.
CKE n-1 signal is input level one clock cycle before the commands are issued.
3. These are state designated by the BA0, BA1 signals.
4. LDM, UDM (W9425G6EH).
5. Power Down Mode can not entry in the burst cycle.
Publication Release Date:Dec. 03, 2008
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Revision A08
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参数描述 |
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