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参数资料
| 型号： | W9425G6EH-5 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 5/54页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR-400 SDRAM 256MB 66TSSOPII |
| 标准包装： | 108 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR SDRAM |
| 存储容量： | 256M（16Mx16） |
| 速度： | 250MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 66-TSOP II |
| 包装： | 托盘 |
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W9425G6EH
3. KEY PARAMETERS
SYMBOL
DESCRIPTION
CL = 2
MIN./MAX.
Min.
Max.
-4
-
-
-5/-5I
7.5 nS
12 nS
-6/-6I
7.5 nS
12 nS
t CK
Clock Cycle Time
CL = 2.5
CL = 3
CL = 4
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
-
-
4 nS
10 nS
4 nS
10 nS
6 nS
12 nS
5 nS
12 nS
-
-
6 nS
12 nS
6 nS
12 nS
-
-
t RAS
t RC
I DD0
I DD1
I DD4R
I DD4W
I DD5
I DD6
Active to Precharge Command Period
Active to Ref/Active Command Period
Operating Current:
One Bank Active-Precharge
Operating Current:
One Bank Active-Read-Precharge
Burst Operation Read Current
Burst Operation Write Current
Auto Refresh Current
Self-Refresh Current
Min.
Min.
Max.
Max.
Max.
Max.
Max.
Max.
36 nS
52 nS
110 mA
150 mA
210 mA
210 mA
190 mA
3 mA
40 nS
55 nS
110 mA
150 mA
180 mA
180 mA
190 mA
3 mA
42 nS
60 nS
110 mA
150 mA
170 mA
170 mA
190 mA
3 mA
Publication Release Date:Dec. 03, 2008
-5-
Revision A08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| W9425G6JB-5I TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR SDRAM X16, 200MHZ, IN |
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