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参数资料
| 型号： | W9812G6DH-75 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 16/44页 |
| 文件大小： | 1221K |
| 代理商： | W9812G6DH-75 |
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W981216DH/ W9812G6DH
Publication Release Date: June 6, 2005
- 23 -
Revision A08
Operating Timing Example, continued
14.2 Interleaved Bank Read (Burst Length = 4, CAS Latency = 3, Autoprecharge)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
(CLK = 100 MHz)
CLK
CKE
DQM
A0-A9,
A11
A10
BS1
WE
CAS
RAS
CS
BS0
tRC
tRAS
tRP
tRAS
tRP
tRAS
tRP
tRAS
tRCD
tAC
tRRD
Active
Read
Active
Read
Active
Read
tRC
RAa
RBb
RAc
RBd
RAe
DQ
aw0
aw1
aw2
aw3
bx0
bx1
bx2
bx3
cy0
cy1
cy2
cy3
dz0
* AP is the internal precharge start timing
Bank #0
Idle
Bank #1
Bank #2
Bank #3
AP*
RAa
CAw RBb
CBx
RAc
CAy
RBd
RAe
CBz
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