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参数资料
| 型号： | W9812G6DH-75 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 4/44页 |
| 文件大小： | 1221K |
| 代理商： | W9812G6DH-75 |
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W981216DH / W9812G6DH
- 12 -
11. OPERATION MODE
Fully synchronous operations are performed to latch the commands at the positive edges of CLK.
Table 1 shows the truth table for the operation commands.
Table 1 Truth Table (Note (1), (2))
COMMAND
DEVICE
STATE
CKEN-1 CKEN DQM BS0, 1 A10 A0A9
A11
CS
RAS
CAS WE
Bank Active
Idle
H
x
v
L
H
Bank Precharge
Any
H
x
v
L
x
L
H
L
Precharge All
Any
H
x
H
x
L
H
L
Write
Active (3)
H
x
v
L
v
L
H
L
Write with
Autoprecharge
Active (3)
H
x
v
H
v
L
H
L
Read
Active (3)
H
x
v
L
v
L
H
L
H
Read with
Autoprecharge
Active (3)
H
x
v
H
v
L
H
L
H
Mode Register Set
Idle
H
x
v
L
No – Operation
Any
H
x
L
H
Burst Stop
Active (4)
H
x
L
H
L
Device Deselect
Any
H
x
H
x
Auto – Refresh
Idle
H
x
L
H
Self – Refresh Entry
Idle
H
L
x
L
H
Self Refresh Exit
idle
(S.R.)
L
H
x
H
L
x
H
x
H
x
X
Clock suspend Mode
Entry
Active
H
L
x
Power Down Mode
Entry
Idle
Active (5)
H
L
x
H
L
x
H
x
H
x
X
Clock Suspend Mode
Exit
Active
L
H
x
Power Down Mode
Exit
Any
(power
down)
L
H
x
H
L
x
H
x
H
x
Data write/Output
Enable
Active
H
x
L
x
Data Write/Output
Disable
Active
H
x
H
x
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