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参数资料
| 型号： | W9812G6DH-75 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 42/44页 |
| 文件大小： | 1221K |
| 代理商： | W9812G6DH-75 |
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W981216DH/ W9812G6DH
Publication Release Date: June 6, 2005
- 7 -
Revision A08
6. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
SYMBOL
RATING
UNIT
Input/Output Voltage
VIN, VOUT
-0.3
VCC +0.3
V
Power Supply Voltage
VCC, VCCQ
-0.3
4.6
V
Operating Temperature(-6/-7/-75/-8H)
TOPR
0
70
°
C
Storage Temperature
TSTG
-55
150
°
C
Soldering Temperature (10s)
TSOLDER
260
°
C
Power Dissipation
PD
1
W
Short Circuit Output Current
IOUT
50
mA
Note: Exposure to conditions beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may adversely affect the life and reliability
of the device.
7. RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
(Ta = 0 to 70°C for -6/-7/-75/-8H)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Power Supply Voltage
VCC
3.0
3.3
3.6
V
Power Supply Voltage (for I/O Buffer)
VCCQ
3.0
3.3
3.6
V
Input High Voltage
VIH
2.0
-
VCC +0.3
V
Input Low Voltage
VIL
-0.3
-
0.8
V
Note: VIH(max) = VCC/ VCCQ+1.2V for pulse width < 5 nS
VIL(min) = VSS/ VSSQ-1.2V for pulse width < 5 nS
8. CAPACITANCE
(VCC = 3.3V, f = 1 MHz, Ta 25°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
Input Capacitance
(A0 to A11, BS0, BS1, CS , RAS , CAS , WE , DQM,
CKE)
CI
-
3.8
pf
Input Capacitance (CLK)
CCLK
-
3.5
pf
Input/Output capacitance
CIO
-
6.5
pf
Note: These parameters are periodically sampled and not 100% tested.
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PDF描述 |
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