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参数资料
| 型号： | W9812G6DH-75 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 24/44页 |
| 文件大小： | 1221K |
| 代理商： | W9812G6DH-75 |
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W981216DH / W9812G6DH
- 30 -
Operating Timing Example, continued
14.9 Auto Precharge Read (Burst Length = 4, CAS Latency = 3)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
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16
17
18
19
20
21
22
23
(CLK = 100 MHz)
CLK
DQ
CKE
DQM
A0-A9,
A11
A10
BS1
WE
CAS
RAS
CS
BS0
tRC
tRAS
tRP
tRAS
tRP
tRCD
tAC
Active
Read
AP*
Active
Read
RAa
RAb
RAa
CAw
RAb
CAx
aw0
aw1
aw2
aw3
* AP is the internal precharge start timing
Bank #0
Idle
Bank #1
Bank #2
Bank #3
tAC
AP*
bx0
bx1
bx2
bx3
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PDF描述 |
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