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参数资料
| 型号： | W9812G6DH-75 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 33/44页 |
| 文件大小： | 1221K |
| 代理商： | W9812G6DH-75 |
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W981216DH/ W9812G6DH
Publication Release Date: June 6, 2005
- 39 -
Revision A08
Operating Timing Example, continued
14.19 Timing Chart of Burst Stop Cycle (Burst Stop Command)
Read
BST
0
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
BST
( a ) CAS latency =2
Command
( b )CAS latency = 3
(1) Read cycle
Q4
(2) Write cycle
Command
Read
Command
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
DQ
Write
BST
Note:
represents the Burst stop command
BST
14.20 Timing Chart of Burst Stop Cycle (Precharge Command)
01
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
(1) Read cycle
(a) CAS latency =2
Command
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
PRCG
Read
(b) CAS latency =3
Command
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
PRCG
Read
DQ
(2) Write cycle
(a) CAS latency =2
Command
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
PRCG
Write
(b) CAS latency =3
Command
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Write
DQ
DQM
PRCG
tWR
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PDF描述 |
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