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参数资料
| 型号： | ZXMN6A07ZTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫欧 @ 1.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 166pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-243AA |
| 供应商设备封装： | SOT-89-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN6A07ZDKR |
ZXMN6A07Z
Typical characteristics
Current
regulator
Q G
12V
50k
Same as
D.U.T
V G
Q GS
Q GD
Charge
I G
V GS
D.U.T
V DS
I D
V DS
Basic gate charge waveform
Gate charge test circuit
90%
10%
V GS
R G
V GS
R D
V DS
V CC
t d(on)
t (on)
t r
t d(off)
t (on)
t r
Switching time waveforms
Switching time test circuit
Issue 8 - January 2007
? Zetex Semiconductors plc 2007
6
www.zetex.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| ZXMN6A08E6 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23-6 |
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