参数资料
型号: ZXMN6A07ZTA
厂商: Diodes Inc
文件页数: 7/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 250 毫欧 @ 1.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 166pF @ 40V
功率 - 最大: 1.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-243AA
供应商设备封装: SOT-89-3
包装: 标准包装
产品目录页面: 1473 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: ZXMN6A07ZDKR
ZXMN6A07Z
Package outline - SOT89
D
D1
C
A
H
L
B1
B
E
E1
e
e1
DIM
Millimeters
Inches
DIM
Millimeters
Inches
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
A
B
1.40
0.44
1.60
0.56
0.550
0.017
0.630
0.022
E
E1
2.29
2.13
2.60
2.29
0.090
0.084
0.102
0.090
B1
C
0.36
0.35
0.48
0.44
0.014
0.014
0.019
0.017
e
e1
1.50 BSC
3.00 BSC
0.059 BSC
0.118 BSC
D
D1
4.40
1.62
4.60
1.83
0.173
0.064
0.181
0.072
H
L
3.94
0.89
4.25
1.20
0.155
0.035
0.167
0.047
Note: Controlling dimensions are in millimeters. Approximate dimensions are provided in inches
Issue 8 - January 2007
? Zetex Semiconductors plc 2007
7
www.zetex.com
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