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参数资料
型号： 2N7002/T1
厂商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
封装： PLASTIC PACKAGE-3
文件页数： 1/11页
文件大小： 87K
代理商： 2N7002/T1
1.
Product prole
1.1 General description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using
TrenchMOS technology.
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
2N7002
N-channel TrenchMOS FET
Rev. 06 — 28 April 2006
Product data sheet
s Logic level threshold compatible
s Very fast switching
s Surface-mounted package
s TrenchMOS technology
s Logic level translator
s High-speed line driver
s VDS ≤ 60 V
s ID ≤ 300 mA
s RDSon ≤ 5
s Ptot ≤ 0.83 W
Table 1:
Pinning
Pin
Description
Simplied outline
Symbol
1
gate (G)
SOT23
2
source (S)
3
drain (D)
12
3
S
D
G
mbb076
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