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参数资料
| 型号： | 2SK3511-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V MP-25/TO-220 |
| 标准包装： | 200 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 83A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.5 毫欧 @ 42A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5900pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 散装 |
2SK3511
ELECTRICAL CHARACTERISTIC S (T A = 25°C)
CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate Leakage Current
Gate Cut-off Voltage
Forward Transfer Admittance
Drain to Source On-state Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
SYMBOL
I DSS
I GSS
V GS(off)
| y fs |
R DS(on)
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
TEST CONDITIONS
V DS = 75 V, V GS = 0 V
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
V DS = 10 V, I D = 1 mA
V DS = 10 V, I D = 42 A
V GS = 10 V, I D = 42 A
V DS = 10 V
V GS = 0 V
f = 1 MHz
V DD = 38 V, I D = 42 A
V GS = 10 V
R G = 0 ?
MIN.
2.0
21
TYP.
3.0
45
9.5
5900
810
400
30
21
72
MAX.
10
± 10
4.0
12.5
UNIT
μ A
μ A
V
S
m ?
pF
pF
pF
ns
ns
ns
Fall Time
t f
12
ns
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain Charge
Body Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Q G
Q GS
Q GD
V F(S-D)
t rr
Q rr
V DD = 60 V
V GS = 10 V
I D = 83 A
I F = 83 A, V GS = 0 V
I F = 83 A, V GS = 0 V
di/dt = 100 A/ μ s
100
24
35
1.1
70
200
nC
nC
nC
V
ns
nC
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
PG.
V GS = 20 → 0 V
D.U.T.
R G = 25 ?
50 ?
L
V DD
PG.
D.U.T.
R G
R L
V DD
V GS
Wave Form
V GS
0
V DS
10%
V GS
90%
90%
90%
V DD
I D
I AS
BV DSS
V DS
V GS
0
τ
V DS
Wave Form
V DS
0
t d(on)
10%
t r
10%
t d(off)
t f
Starting T ch
τ = 1 μ s
Duty Cycle ≤ 1%
t on
t off
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
D.U.T.
I G = 2 mA
R L
2
PG.
50 ?
V DD
Data Sheet D15617EJ1V0DS
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