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参数资料
| 型号： | 2SK3511-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V MP-25/TO-220 |
| 标准包装： | 200 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 83A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.5 毫欧 @ 42A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5900pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 散装 |
2SK3511
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1) TO-220 (MP-25)
2) TO-262 (MP-25 Fin Cut)
10.6 MAX.
10.0 TYP.
φ 3.6±0.2
4.8 MAX.
1.3±0.2
10 TYP.
4.8 MAX.
1.3±0.2
4
4
1
2
3
1 2 3
1.3±0.2
1.3±0.2
0.75±0.3
0.5±0.2
2.8±0.2
0.75±0.1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
0.5±0.2
2.8±0.2
2.54 TYP.
2.54 TYP.
1.Gate
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
3) TO-263 (MP-25ZJ)
4) TO-220SMD (MP-25Z)
Note
10 TYP.
4.8 MAX.
10 TYP.
4.8 MAX.
4
1.3±0.2
4
1.3±0.2
1
2
3
1
2
3
P.
0.8
.8R
1.4±0.2
0.7±0.2
2.54 TYP.
0.5
2.54 TYP.
R
TY
R
T
YP
.
0.5±0.2
1.4±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP.
0.
2.54 TYP.
5R
0
TY
P.
TY
P.
0.5±0.2
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
Note This Package is only produced in Japan.
EQUIVALENT CIRCUIT
Remark The diode connected between the gate and source of the transistor
serves as a protector against ESD.
When this device actually
Gate
Gate
Drain
Body
Diode
used, an additional protection circuit is externally required if a
voltage exceeding the rated voltage may be applied to this device.
Protection
Diode
Source
Data Sheet D15617EJ1V0DS
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2SK3513-01LSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3514-01SC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3515-01MRSC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3516-01LZSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
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