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参数资料
| 型号： | 2SK3511-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V MP-25/TO-220 |
| 标准包装： | 200 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 83A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.5 毫欧 @ 42A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5900pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 散装 |
2SK3511
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
300
Pulsed
1000
V D S = 10 V
250
200
150
100
V GS = 10 V
100
10
T A = 150°C
50
1
75°C
25°C
? 55°C
0
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
1
2
3
4
5
6
7
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
4.0
100
V DS = 10 V
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
10
1
Pulsed
T A = 150°C
1.0
0.5
0.0
V DS = 10 V
I D = 1 mA
0.1
0.01
75°C
25°C
? 55°C
-75
-25
25
75
125
175
0.01
0.1
1
10
100
20
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
Pulsed
V GS = 10 V
18
16
14
12
10
8
6
4
2
Pulsed
I D = 42 A
0.1
1
10
100
1000
0
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D15617EJ1V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3541T2L | MOSFET N-CH 30V .1A VMT3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3512-01LSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3513-01LSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3514-01SC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3515-01MRSC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3516-01LZSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
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