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参数资料
| 型号： | 2SK3511-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V MP-25/TO-220 |
| 标准包装： | 200 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 83A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.5 毫欧 @ 42A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5900pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 散装 |
2SK3511
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
25
Pulsed
20
10000
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
Ciss
15
1000
Coss
Crss
10
100
5
0
V GS = 10 V
I D = 42 A
10
V GS = 0 V
f = 1 MHz
-100
-50
0
50
100
150
200
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
100
t r
t f
t d(off)
t d(on)
100
80
60
40
V DD = 60 V
38 V
15 V
V GS
10
8
6
4
10
V DD = 38 V
20
V DS
2
V GS = 10 V
R G = 0 ?
1
0.1
1
10
100
0
0
20
40
60
I D = 83 A
80 100
0
120
I D - Drain Current - A
Q G - Gate Charge - nC
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
REVERSE RECOVERY TIME vs. DRAIN CURRENT
1000
Pulsed
100
100
10
V GS = 10 V
1
0V
0.1
V GS = 0 V
0.01
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6 1.8
2
10
di/dt = 100 A/ μ s
0.1 1
10
100
V SD - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D15617EJ1V0DS
I F - Drain Current - A
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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