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参数资料
| 型号： | 2SK3511-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V MP-25/TO-220 |
| 标准包装： | 200 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 83A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.5 毫欧 @ 42A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5900pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 散装 |
2SK3511
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C)
120
100
80
60
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
120
100
80
60
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
40
40
20
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0
25
50
75
100
125
150
175
1000
T C - Case Temperature - ° C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
T C - Case Temperature - ° C
n) Lim 0 V
S(o =1
0 μ
0 μ
1m
100
R D GS
at V
ited
I D(DC)
DC
I D(pulse)
PW
10 s
s
=1
s
s
10
1
0.1
Power Dissipation Limited
T C = 25?C
Single Pulse
10
m
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
100
10
1
0.1
0.01
R th(ch-A) = 83.3 ? C/W
R th(ch-C) = 1.25 ? C/W
Single Pulse
10 μ
100 μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
Data Sheet D15617EJ1V0DS
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3541T2L | MOSFET N-CH 30V .1A VMT3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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