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参数资料
| 型号： | A29DL324SERIES |
| 英文描述： | 32M-Bit CMOS Low Voltage Dual Operation Flash Memory 4M-Byte by 8-Bit (Byte Mode) / 2M-Word by 16-Bit |
| 中文描述： | 32兆位的CMOS低电压双操作闪存分字节由8位（字节模式）/ 200万词由16位 |
| 文件页数： | 30/46页 |
| 文件大小： | 467K |
| 代理商： | A29DL324SERIES |
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A29L323 Series
PRELIMINARY (May, 2002, Version 0.0)
30
AMIC Technology, Inc.
AC Characteristics (Recommended Operating Conditions Unless Otherwise Noted)
AC Test Conditions
Input Waveform (Rise and Fall Time 5 ns)
3.0V
0V
1.5V
1.5V
Test points
Output Waveform
1.5V
1.5V
Test points
Output Load
1 TTL + 30pF
Read Cycle
Parameter
Symbol
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit Notes
Read cycle time
Address access time
t
RC
t
ACC
85
ns
ns
CE
=
OE
= V
IL
85
CE
access time
t
CE
OE
= V
IL
85
ns
OE
access time
t
OE
CE
= V
IL
40
ns
Output disable time
t
DF
OE
= V
IL
or
CE
= V
IL
30
ns
Output hold time
t
OH
t
RP
0
ns
ns
RESET
pulse width
500
RESET
hold time before read
t
RH
50
ns
RESET
low to read mode
t
READY
20
μ
s
CE
low to /BYTE low, high
t
ELFL
/t
ELFH
5
ns
BYTE
low output disable time
t
FLQZ
30
ns
BYTE
high access time
t
FHQV
85
ns
Remark: t
DF
is the time from inactivation of
CE
or
OE
to Hi-Z state output.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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