- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录51253 > AGR19125EF (TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC) L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | AGR19125EF |
| 厂商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 366K |
| 代理商： | AGR19125EF |
125 W, 1930 MHz—1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
E
5
2
1
9
1
R
G
A
Typical Performance Characteristics
Figure 3. Series Equivalent Input and Output Impedances
MHz (f )
ZS Ω
(
Complex Source Impedance)
ZL Ω
(Complex Optimum Load Impedance)
2
4
.
1j
–
3
6
.
1
3
1
.
6j
–
2
.
4
)
1
f(
0
3
9
1
9
1
.
1j
–
0
6
.
1
0
8
.
5j
–
2
0
.
4
)
2
f(
0
6
9
1
8
1
.
1j
–
4
7
.
1
5
.
5j
–
1
9
.
3
)
3
f(
0
9
1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
3.0
4.0
5.0
10
20
50
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-20
-3
0
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
-110
-120
-130
-140
-150
-160
170
-170
180
±
90
-90
-85
-80
-75
-70
-65
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.1
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.16
0.17
0.18
0.19
0.2
0.21
0.22
0.23
0.24
0.25
0.26
0.27
0.28
0.29
0.3
0.31
0.32
0.33
0.34
0.35
0.36
0.37
0.38
0.39
0.4
0.41
0.42
0.43
0.44
0.45
0.46
0.47
0.48
0.49
0.0
A
N
G
L
E
O
F
T
R
A
N
SM
IS
SI
O
N
C
O
E
FF
IC
IE
N
T
IN
D
E
G
R
E
S
A
N
G
L
E
O
F
R
E
FL
E
C
T
IO
N
C
O
E
FF
IC
IE
N
T
IN
D
E
G
R
E
S
>
W
A
V
E
L
E
N
G
T
H
S
T
O
W
A
R
D
<
W
A
V
E
L
E
N
G
T
H
S
T
O
W
A
R
D
L
O
A
D
<
IN
D
U
C
T
CA
PA
CIT
IV
ER
EA
CT
AN
CE
CO
M
PO
NE
NT
(-j
X/
Zo
),
O
R
IN
D
U
C
TI
V
E
SU
SC
EP
TA
N
C
E
(-
jB
/
Y
o)
RESISTANCE COMPONENT (R/Zo), OR CONDUCTANCE COMPONENT (G/Yo)
F
ZL
f3
f1
ZS
f3
f1
Z0 = 10 Ω
DUT
ZS
ZL
INPUT MATCH
OUTPUT MATCH
DRAIN (1)
SOURCE (3)
GATE (2)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGR19125EU | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR19180EF | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR19180EF | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR19180EF | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR21030EF | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AGR19125EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 1930 MHz-1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor |
| AGR19180EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR19K180EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR21030EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR21045EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。