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参数资料
| 型号： | AGR19125EF |
| 厂商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 366K |
| 代理商： | AGR19125EF |
E
5
2
1
9
1
R
G
A
125 W, 1930 MHz—1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
Typical Performance Characteristics (continued)
TEST CONDITIONS:
VDD = 28 V, IDQ = 1250 mA, F = 1960 MHz.
Figure 4. Output Power and Efficiency vs. Input Power
TEST CONDITIONS:
VDD = 28 V, F = 1960 MHz, CW MEASUREMENT.
Figure 5. Power Gain vs. Output Power
0.0
20.0
40.0
60.0
80.0
100.0
120.0
140.0
0.00
1.00
2.00
3.00
4.00
5.00
6.00
PIN, INPUT POWER (W)S
PO
UT
,O
UT
PU
T
PO
W
ER
(W
),
EF
FI
CI
EN
CY
(%
)S
-30.0
-25.0
-20.0
-15.0
-10.0
-5.0
0.0
IR
L,
IN
PU
T
RE
TU
RN
LO
SS
(d
B)
S
POUT
EFFICIENCY
IRL
12.00
13.00
14.00
15.00
16.00
1.00
10.00
100.00
1000.00
POUT, OUTPUT POWER (W)S
Gp
s,
PO
W
ER
GA
IN
(d
B)
S
IDQ = 1500 mA
IDQ = 900 mA
IDQ = 1250 mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGR19125EU | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR19180EF | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR19180EF | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR19180EF | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR21030EF | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AGR19125EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 1930 MHz-1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor |
| AGR19180EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR19K180EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR21030EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR21045EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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