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参数资料
| 型号： | AGR19125EF |
| 厂商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 366K |
| 代理商： | AGR19125EF |
125 W, 1930 MHz—1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
E
5
2
1
9
1
R
G
A
Typical Performance Characteristics (continued)
TEST CONDITIONS:
VDD = 28 V, F = 1960 MHz, 100 kHz TONE SPACING.
Figure 6. Two-Tone Gain vs. Output Power
TEST CONDITIONS:
VDD = 28 V, IDQ = 1250 mA, POUT = 125 W (PEP), 100 kHz TONE SPACING.
Figure 7. Two-Tone Broadband Performance
12
13
14
15
16
10
100
1000
POUT, OUTPUT POWER (W) PEPS
Gp
s,
PO
W
ER
GA
IN
(d
B)
S
IDQ = 900 mA
IDQ = 1250 mA
IDQ = 1500 mA
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
1880 1900 1920 1940 1960 1980 2000 2020 2040
f, FREQUENCY (MHz)S
Gp
s,
PO
W
ER
GA
IN
(d
B)
,D
RA
IN
S
EF
FI
CI
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CY
(%
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5
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ST
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TI
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Bc
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EFFICIENCY
IRL
Gps
IMD3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGR19125EU | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR19180EF | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR19180EF | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR19180EF | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR21030EF | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AGR19125EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 1930 MHz-1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor |
| AGR19180EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR19K180EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR21030EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR21045EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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