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参数资料
| 型号： | AGR19125EF |
| 厂商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 366K |
| 代理商： | AGR19125EF |
125 W, 1930 MHz—1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
E
5
2
1
9
1
R
G
A
Typical Performance Characteristics (continued)
TEST CONDITIONS:
VDD = 28 V, F = 1960 MHz, 100 kHz TONE SPACING.
Figure 10. Third Order Intermodulation Distortion vs. Output Power
TEST CONDITIONS:
VDD = 28 V, IDQ = 1250 mA, F = 1960 MHz, 100 kHz TONE SPACING.
Figure 11. Intermodulation Distortion Products vs. Output Power
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
10
100
1000
POUT, OUTPUT POWER (W) PEPS
IM
D3
,T
HI
RD
OR
DE
R
IN
TE
RM
OD
UL
AT
IO
NS
DI
ST
OR
TI
ON
(d
Bc
)S
IDQ = 900 mA
IDQ = 1250 mA
IDQ = 1500 mA
-80.0
-70.0
-60.0
-50.0
-40.0
-30.0
-20.0
-10.0
0.0
1.00
10.00
100.00
1000.00
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
IM
D,
IN
TE
RM
OD
UL
AT
IO
N
DI
ST
OR
TI
ON
(d
Bc
)S
5.0
10.0
15.0
20.0
25.0
30.0
35.0
40.0
45.0
50.0
DR
AI
N
EF
FI
CI
EN
CY
(%
)S
EFFICIENCY
3rd ORDER
5th ORDER
7th ORDER
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGR19125EU | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR19180EF | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR19180EF | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR19180EF | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR21030EF | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AGR19125EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 1930 MHz-1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor |
| AGR19180EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR19K180EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR21030EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR21045EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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