参数资料
型号: ALD1108EPCL
厂商: Advanced Linear Devices Inc
文件页数: 10/14页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH ADJ QUAD 16PDIP
标准包装: 25
系列: EPAD®
FET 型: 4 N 通道(半桥)
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 500 欧姆 @ 5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 1µA
功率 - 最大: 600mW
安装类型: 通孔
封装/外壳: 16-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装: 16-PDIP
包装: 管件
PDIP-8 PACKAGE DRAWING
8 Pin Plastic DIP Package
Millimeters
Inches
S
D
E
A2
A 1
A
L
E1
Dim
A
A 1
A 2
b
b 1
c
D-8
E
E 1
e
e 1
Min
3.81
0.38
1.27
0.89
0.38
0.20
9.40
5.59
7.62
2.29
7.37
Max
5.08
1.27
2.03
1.65
0.51
0.30
11.68
7.11
8.26
2.79
7.87
Min
0.105
0.015
0.050
0.035
0.015
0.008
0.370
0.220
0.300
0.090
0.290
Max
0.200
0.050
0.080
0.065
0.020
0.012
0.460
0.280
0.325
0.110
0.310
b
b 1
e
L
S-8
?
2.79
1.02
0 °
3.81
2.03
15 °
0.110
0.040
0 °
0.150
0.080
15 °
c
e 1
?
ALD1108E/ALD1110E
Advanced Linear Devices
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