参数资料
型号: ALD1108EPCL
厂商: Advanced Linear Devices Inc
文件页数: 12/14页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH ADJ QUAD 16PDIP
标准包装: 25
系列: EPAD®
FET 型: 4 N 通道(半桥)
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 500 欧姆 @ 5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 1µA
功率 - 最大: 600mW
安装类型: 通孔
封装/外壳: 16-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装: 16-PDIP
包装: 管件
SOIC-16 PACKAGE DRAWING
16 Pin Plastic SOIC Package
E
Millimeters
Inches
Dim
Min
Max
Min
Max
S (45 ° )
D
A
A 1
b
C
D-16
E
1.35
0.10
0.35
0.18
9.80
3.50
1.75
0.25
0.45
0.25
10.00
4.05
0.053
0.004
0.014
0.007
0.385
0.140
0.069
0.010
0.018
0.010
0.394
0.160
e
1.27 BSC
0.050 BSC
H
L
5.70
0.60
6.30
0.937
0.224
0.024
0.248
0.037
A
?
0 °
8 °
0 °
8 °
e
A 1
S
0.25
0.50
0.010
0.020
b
S (45 ° )
L
H
C
?
ALD1108E/ALD1110E
Advanced Linear Devices
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