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参数资料
| 型号： | AOK42S60L |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 39A TO247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | aMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 39A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 99 毫欧 @ 21A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2154pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 417W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
AOK42S60
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
1500
40
35
1200
30
900
600
300
0
25
20
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75 100 125
150
10
T CASE (°C)
Figure 12: Avalanche energy
D=T on /T
T J,PK =T C +P DM .Z θ JC .R θ JC
T CASE (°C)
Figure 13: Current De-rating (Note B)
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
=0.3°C/W
R θ JC =2.5°C/W
0.1
P D
0.01
T on
T
Single Pulse
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
10
100
Pulse Width (s)
15: AOK42S60(Note
Figure 14: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance for AOTF42S60(Note F) F)
Rev0: Jan 2012
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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