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参数资料
| 型号： | AOK42S60L |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 39A TO247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | aMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 39A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 99 毫欧 @ 21A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2154pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 417W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
AOK42S60
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Vgs
Qg
+
10V
VDC
-
DUT
VDC + Vds
-
Qgs
Qgd
Vgs
Ig
Charge
Res istive Switching Test Circuit & Waveforms
RL
Vds
Vds
Rg
Vgs
DUT
+
VDC
-
Vdd
90%
10%
Vgs
Vgs
t d(on)
t r
t d(off)
t f
t on
t off
Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms
Vds
L
E AR = 1/2 LI
2
AR
BV DSS
Id
Vds
Rg
Vgs
Vgs
VDC + Vdd
-
Id
I AR
DUT
Vgs
Vds +
DUT
Vgs
Diode Recovery Tes t Circuit & Waveforms
Q rr = - Idt
Vgs
Vds -
Isd
L
Isd
I F
dI/dt
t rr
Ig
Vgs
+
VDC
-
Vdd
Vds
I RM
Vdd
Rev0: Jan 2012
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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