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参数资料
型号： BF1205
厂商： NXP Semiconductors N.V.
元件分类： MOSFETs
英文描述： Dual N-channel dual-gate MOSFET
封装： BF1205<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,;BF1205<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free
文件页数： 12/25页
文件大小： 626K
代理商： BF1205
2003 Sep 30
12
NXP Semiconductors
Product specification
Dual N-channel dual gate MOS-FET
BF1205
Scattering parameters: amplifier a
V
DS
(a) = 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
(a) = 12 mA; V
DS
(b) = 0 V; V
G-1S
(b) = 0 V; T
amb
= 25
C
Noise data
V
DS
(a) = 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
(a) = 12 mA; V
DS
(b) = 0 V; V
G-1S
(b) = 0 V; T
amb
= 25
C
DYNAMIC CHARACTERISTICS AMPLIFIER b
Common source; T
amb
= 25
C; V
G2-S
= 4 V; V
DS
= 5 V; I
D
= 12 mA
f
(MHz)
s
11
s
21
s
12
s
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
3.70
7.37
14.64
21.85
28.95
35.98
42.90
49.77
56.61
63.18
69.84
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
1.38
2.83
5.62
8.40
11.15
13.88
16.65
19.35
22.08
24.87
27.63
50
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0.997
0.995
0.988
0.976
0.963
0.944
0.924
0.900
0.874
0.846
0.817
3.15
3.15
3.12
3.09
3.04
2.99
2.94
2.87
2.81
2.73
2.65
175.99
171.92
163.99
156.06
148.32
140.52
132.88
125.30
117.79
110.29
102.91
0.00067
0.00132
0.00262
0.00373
0.00471
0.00557
0.00624
0.00669
0.00701
0.00705
0.00688
86.39
84.34
79.71
75.29
71.43
66.89
63.52
60.09
59.58
52.42
49.17
0.992
0.991
0.990
0.988
0.985
0.982
0.978
0.975
0.972
0.968
0.965
f
(MHz)
F MIN
(dB)
GAMMA OPT
Rn
(
)
(ratio)
(deg)
400
800
1.1
1.2
0.719
0.628
16.16
32.7
31.18
29.74
SYMBOL
y
fs
C
ig1-ss
C
ig2-ss
C
oss
C
rss
G
tr
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
forward transfer admittance
input capacitance at gate 1
input capacitance at gate 2
output capacitance
reverse transfer capacitance
power gain
T
j
= 25
C
f = 1 MHz
f = 1 MHz
f = 1 MHz
f = 1 MHz
f = 200 MHz; G
S
= 2 mS; B
S
= B
S(opt)
;
G
L
= 0.5 mS; B
L
= B
L(opt)
; note 1
f = 400 MHz; G
S
= 2 mS; B
S
= B
S(opt)
;
G
L
= 1 mS; B
L
= B
L(opt)
; note 1
f = 800 MHz; G
S
= 3.3 mS; B
S
= B
S(opt)
;
G
L
= 1 mS; B
L
= B
L(opt)
; note 1
f = 10.7 MHz; G
S
= 20 mS; B
S
= 0
f = 400 MHz; Y
S
= Y
S(opt)
f = 800 MHz; Y
S
= Y
S(opt)
26
30
31
2.0
3.3
0.85
20
34
40
2.5
38
mS
pF
pF
pF
fF
dB
27
31
35
dB
22
26
30
dB
NF
noise figure
4
1.3
1.4
1.9
2.1
dB
dB
dB
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