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参数资料
| 型号： | BF1205 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| 封装： | BF1205<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,;BF1205<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free |
| 文件页数： | 9/25页 |
| 文件大小： | 626K |
| 代理商： | BF1205 |
2003 Sep 30
9
NXP Semiconductors
Product specification
Dual N-channel dual gate MOS-FET
BF1205
handbook, halfpage
(mA)
0
0
4
2
6
8
10
2
4
6
VGG
=
VDS (V)
MGX436
(5)
(4)
(3)
(2)
(1)
Fig.9
Drain current as a function of gate 2 and
drain supply voltage; typical values;
amplifier a.
V
DS
(a) = 5 V; V
G1-S
(b) = 0 V; Gate 1 (a) = open; T
j
= 25
C.
(1) V
DS
(b) = 5 V.
(2) V
DS
(b) = 4.5 V.
(3) V
DS
(b) = 4 V.
(4) V
DS
(b) = 3.5 V.
(5) V
DS
(b) = 3 V.
handbook, halfpage
Vunw
(dB
μ
V)
0
gain reduction (dB)
60
110
90
80
100
20
40
MGX437
Fig.10 Unwanted voltage for 1% cross-modulation
as a function of gain reduction; typical values;
amplifier a.
V
DS
(a) = V
(b) = 5 V; V
G1-S
(b) = 0 V; f
w
= 50 MHz;
f
unw
= 60 MHz; T
amb
= 25
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF1205 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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