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参数资料
| 型号： | BF1205 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| 封装： | BF1205<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,;BF1205<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free |
| 文件页数： | 18/25页 |
| 文件大小： | 626K |
| 代理商： | BF1205 |
2003 Sep 30
18
NXP Semiconductors
Product specification
Dual N-channel dual gate MOS-FET
BF1205
handbook, halfpage
0
1
2
4
60
3
VAGC (V)
gain
reduction
(dB)
20
40
MGX455
Fig.28 Typical gain reduction as a function of AGC
voltage; amplifier b.
V
DS
(b) = 5 V; V
GG
= 5 V; V
(a) = V
(a) = 0 V;
R
G1
(b) = 150 k
(connected to V
GG
); f = 50 MHz;
T
amb
= 25
C; see Fig.30.
handbook, halfpage
ID
(mA)
0
gain reduction (dB)
60
12
4
0
8
20
40
MGX456
Fig.29 Drain current as a function of gain
reduction; typical values; amplifier b.
V
DS
(b) = 5 V; V
GG
= 5 V; V
(a) = V
(a) = 0 V;
R
G1
(b) = 150 k
(connected to V
GG
); f = 50 MHz;
T
amb
= 25
C; see Fig.30.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| BF1205 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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