收藏本站
参数资料
型号： BF1205C
厂商： NXP Semiconductors N.V.
元件分类： MOSFETs
英文描述： Dual N-channel dual-gate MOSFET
封装： BF1205C<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,;
文件页数： 17/23页
文件大小： 288K
代理商： BF1205C
BF1205C
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 3 — 7 September 2011
17 of 23
NXP Semiconductors
BF1205C
Dual N-channel dual gate MOS-FET
8.2.2
Scattering parameters for amplifier b
Table 12.
V
DS(b)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D(b)
= 13 mA; V
DS(a)
= 0 V; V
G1-S(a)
= 0 V; T
amb
= 25
C.
f
(MHz)
Magnitude
ratio
(deg)
ratio
50
0.986
3.66
3.26
100
0.982
7.01
3.24
200
0.975
13.71 3.22
300
0.966
20.36 3.19
400
0.955
27.04 3.15
500
0.943
33.62 3.10
600
0.927
40.16 3.05
700
0.909
46.70 2.99
800
0.891
52.07 2.92
900
0.868
59.48 2.84
1000
0.846
65.86 2.77
8.2.3
Noise data for amplifier b
Table 13.
V
DS(b)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D(b)
= 13 mA; V
DS(a)
= 0 V; V
G1-S(a)
= 0 V; T
amb
= 25
C.
f
(MHz)
(dB)
ratio
400
1.3
0.695
800
1.4
0.674
Scattering parameters for amplifier b
S
11
S
21
Magnitude
S
12
Magnitude
ratio
0.0008
0.0015
0.0029
0.0042
0.0055
0.0066
0.0076
0.0086
0.0094
0.0100
0.0107
S
22
Magnitude
ratio
0.988
0.988
0.986
0.984
0.982
0.978
0.975
0.972
0.968
0.965
0.961
Angle
Angle
(deg)
175.93
172.04
164.24
156.53
148.86
141.24
133.70
126.13
118.64
111.09
103.58
Angle
(deg)
84.23
84.91
83.96
82.86
81.88
80.92
80.15
79.68
78.28
78.28
78.15
Angle
(deg)
1.65
3.27
6.50
9.69
12.88
16.07
19.21
22.35
25.52
28.65
31.85
Noise data for amplifier b
F
min
opt
r
n
(
)
(deg)
13.11
32.77
0.694
0.674
相关PDF资料
PDF描述
BF1205C Dual N-channel dual-gate MOSFET
BF1205 Dual N-channel dual-gate MOSFET
BF1205 Dual N-channel dual-gate MOSFET
BF1206F Dual N-channel dual-gate MOSFET
BF1206F Dual N-channel dual-gate MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
BF1205C T/R 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel
BF1205C,115 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel
BF1206 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel
BF1206,115 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel
BF1206115 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*