参数资料
| 型号： | BR93L56RF-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 16/41页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 2KBIT 2MHZ 8SOP |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 2K (128 x 16) |
| 速度： | 2MHz |
| 接口： | Microwire 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1380 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BR93L56RF-WE2DKR |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页当前第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页
BR93L -W Series, 93A □□ -WM Series, BR93H □□ -WC Series
3) Equivalent circuit
Technical Note
Output circuit
Input citcuit
RESET int.
OEint.
Fig.71 Output circuit (DO)
DO
CS
Fig.72 Input circuit (CS)
CSint.
Input circuit
CS int.
Input circuit
CS int.
DI
Fig.73 Input circuit (DI)
SK
Fig.74 Input circuit (SK)
4) I/O peripheral circuit
4-1) Pull down CS.
By making CS=“L” at power ON/OFF, mistake in operation and mistake write are prevented.
○ Pull down resistance Rpd of CS pin
To prevent mistake in operation and mistake write at power ON/OFF, CS pull down resistance is necessary. Select an
appropriate value to this resistance value from microcontroller VOH, IOH, and VIL characteristics of this IC.
Rpd ≧
VOHM
IOHM
???①
Microcontroller
EEPROM
VOHM ≧
VIHE
???②
Example) When V CC =5V, VIHE=2V, VOHM=2.4V, IOHM=2mA,
VOHM
VIHE
from the equation ① ,
2 × 10
“H” output
IOHM
Rpd
“L” input
Rpd ≧
2.4
-3
∴
Rpd ≧
1.2 [k Ω ]
With the value of Rpd to satisfy the above equation, VOHM becomes
2.4V or higher, and VIHE (=2.0V), the equation ② is also satisfied.
Fig.75 CS pull down resistance
? VIHE
: EEPROM VIH specifications
? VOHM : Microcontroller VOH specifications
? IOHM
: Microcontroller IOH specifications
4-2) DO is available in both pull up and pull down.
Do output become “High-Z” in other READY / BUSY output timing than after data output at read command and write
command. When malfunction occurs at “High-Z” input of the microcontroller port connected to DO, it is necessary to
pull down and pull up DO. When there is no influence upon the microcontroller actions, DO may be OPEN.
If DO is OPEN, and at timing to output status READY, at timing of CS=“H”, SK=“H”, DI=“H”, EEPROM recognizes this
as a start bit, resets READY output, and DO=”High-Z”, therefore, READY signal cannot be detected. To avoid such
output, pull up DO pin for improvement.
CS
SK
Enlarged
CS “H”
SK
DI
D0
DI
DO
High-Z
READY
DO BUSY
High-Z
CS=SK=DI=”H”
When DO=OPEN
BUSY
Improvement by DO pull up
DO
BUSY
READY
CS=SK=DI=”H”
When DO=pull up
Fig.76 READY output timing at DO=OPEN
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
16/40
2011.09 - Rev.G
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGLN125V2-ZCSG81 | IC FPGA NANO 1KB 125K 81-CSP |
| A3PN250-VQ100 | IC FPGA NANO 250K GATES 100-VQFP |
| BR93L46RFJ-WE2 | IC EEPROM 1KBIT 2MHZ 8SOP |
| A3PN250-ZVQG100 | IC FPGA NANO 250K GATES 100-VQFP |
| A3PN250-ZVQ100 | IC FPGA NANO 250K GATES 100-VQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BR93L56-W | 功能描述:IC EEPROM 2KBIT 2MHZ 8DIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 |
| BR93L66 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:EEPROM |
| BR93L66F | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:EEPROM |
| BR93L66FJ | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:EEPROM |
| BR93L66FJ-W | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Microwire BUS 4Kbit(256 x 16bit) EEPROM |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。