参数资料
| 型号： | BR93L56RF-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 7/41页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 2KBIT 2MHZ 8SOP |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 2K (128 x 16) |
| 速度： | 2MHz |
| 接口： | Microwire 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1380 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BR93L56RF-WE2DKR |
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BR93L -W Series, 93A □□ -WM Series, BR93H □□ -WC Series
Technical Note
● BR93L □□ -W
Characteristic data (The following characteristic data are Typ. values.)
Fig.17
Consumption current at WRAL action
Fig.18
Consumption current at standby action ISB
Fig.19 SK frequency fSK
ICC3 (WRAL, fSK=500kHz)
Fig.20
Fig.23
SK high time tSKH
CS hold time tCSH
Fig.21
Fig.24
SK low time tSKL
CS setup time tCSS
Fig.22
Fig.25
CS low time tCS
DI hold time tDIH
Fig.26
DI setup time tDIS
Fig.27
Data “0” output delay time tPD0
Fig.28
Output data “1” delay time tPD1
Fig.29 Time from CS to output establishment tSV
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Fig.30 Time from CS to High-Z tDF
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Fig.31 Write cycle time tE/W
2011.09 - Rev.G
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| BR93L56-W | 功能描述:IC EEPROM 2KBIT 2MHZ 8DIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 |
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