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参数资料
| 型号： | BSS138K |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 220mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.6 欧姆 @ 50mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 58pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BSS138KDKR |
Electrical Characteristics
Values are at T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristics
BV DSS
Drain-Source Breakdown Voltage V GS = 0 V, I D = 10 μ A
50
V
BV DSS
T J
I DSS
Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
I D = 250 μ A , Referenced to 25 ° C
V DS = 50 V, V GS = 0 V
0.11
0.1
V/ ° C
μ A
V GS = ±12 V, V DS = 0 V
± 1
I GSS
Gate-Body Leakage
V GS = ±10 V, V DS = 0 V
± 0.5
μ A
On Characteristics
V GS = ±5 V, V DS = 0 V
± 0.05
V GS(th)
V GS(th)
T J
R DS(ON)
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage
Temperature Coefficient
Static Drain-Source
On-Resistance
V DS = V GS , I D = 250 μ A
I D = 1 mA, Referenced to 25 ° C
V GS = 1.8V, I D = 50 mA,
V GS = 2.5 V, I D = 50 mA
0.6
-1.4
1.2
2.5
2.0
V
mV/ ° C
Ω
V GS = 5V, I D = 50 mA
1.6
I D(ON)
g FS
On-State Drain Current
Forward Transconductance
V GS = 10 V, V DS = 5 V
V DS = 10 V, I D = 200 mA
0.2
200
A
mS
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
R G
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
V DS = 25 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
V DS = 5 V, V GS = 10 mV
58
9.75
5.2
281
pF
Ω
Switching Characteristics
t D(ON)
Turn-On Delay Time
5
t r
t D(OFF)
t f
Q g
Q gs
Q gd
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Total Gate Change
Gate-Source Change
Gate-Drain Change
V DD = 30 V, I D = 0.29 A,
V GS = 10 V, R GEN = 6 Ω
V DS = 25 V, I D = 0.2 A,
V GS = 10 V, I G = 0.1 mA
5
60
35
2.4
0.5
0.5
ns
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
V sd
Drain-Source Diode
Forward Voltage
V GS = 0 V, I S = 115 mA
1.2
V
? 2010 Fairchild Semiconductor Corporation
BSS138K Rev. 1.3.0
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS138LT1 | MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BSS138L | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 200 mA, 50 V |
| BSS138L-AE2-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE |
| BSS138L-AL3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE |
| BSS138LT1 | 功能描述:MOSFET 50V 200mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BSS138LT1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 200 mAmps， 50 Volts |
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