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参数资料
| 型号： | BSS138K |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 220mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.6 欧姆 @ 50mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 58pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BSS138KDKR |
Typical Performance Characteristics
2.0
V GS = 10V
2.00
1.5
5V
4V
3V
1.75
1.50
4V
4.5V
5V
6V
1.0
0.5
2V
1.25
1.00
V GS = 3V
0.0
0.75
7V
8V
9V
10V
0
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V DS . DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
I D . DRAIN-SOURCE CURRENT(A)
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current
2.5
V DS = 10V
I D = 500 mA
2.0
1.5
1.0
0.5
-50
0
50
100
150
T J . JUNCTION TEMPERATURE( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation with Temperature
3.0
V DS = 10V
Figure 4. On-Resistance Variation with Gate-Source
Voltage
1.5
V DS = V GS
T J = -25( C)
25( C)
2.5
o
o
2.0
1.0
I D = 1 mA
I D = 0.25 mA
1.5
0.5
75( C)
125( C) 150( C)
1.0
o
o
o
T J . JUNCTION TEMPERATURE( C)
0.5
2.0
2.5
3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
V GS . GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
5.5
6.0
0.0
-50
0
50 100
o
150
Figure 5. Transfer Characteristics
? 2010 Fairchild Semiconductor Corporation
BSS138K Rev. 1.3.0
3
Figure 6. Gate Threshold Variation with Temperature
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS138LT1 | MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23 |
| BSS138TC | MOSFET N-CHAN 50V SOT23-3 |
| BSS138W-7 | MOSFET N-CH 50V 200MA SC70-3 |
| BSS138W | MOSFET N-CH 50V 21MA SOT323 |
| BSS84-7 | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSS138L | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 200 mA, 50 V |
| BSS138L-AE2-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE |
| BSS138L-AL3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE |
| BSS138LT1 | 功能描述:MOSFET 50V 200mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BSS138LT1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 200 mAmps， 50 Volts |
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