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参数资料
| 型号： | BSS138K |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 220mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.6 欧姆 @ 50mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 58pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BSS138KDKR |
150 C
25 C
-55 C
Typical Performance Characteristics (Continue)
V GS = 0 V
100
o
o
10
o
1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 7. Reverse Drain Current Variation with
Diode Forward Voltage and Temperature
? 2010 Fairchild Semiconductor Corporation
BSS138K Rev. 1.3.0
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS138LT1 | MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23 |
| BSS138TC | MOSFET N-CHAN 50V SOT23-3 |
| BSS138W-7 | MOSFET N-CH 50V 200MA SC70-3 |
| BSS138W | MOSFET N-CH 50V 21MA SOT323 |
| BSS84-7 | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSS138L | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 200 mA, 50 V |
| BSS138L-AE2-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE |
| BSS138L-AL3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE |
| BSS138LT1 | 功能描述:MOSFET 50V 200mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BSS138LT1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 200 mAmps， 50 Volts |
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