参数资料
| 型号： | CS5301GDWR32G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 18/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG CTRLR BUCK PWM 32-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 24/Jan/2011 |
| 标准包装： | 1 |
| PWM 型： | 电流/电压模式，V²? |
| 输出数： | 1 |
| 频率 - 最大： | 1MHz |
| 电源电压： | 4.7 V ~ 20 V |
| 降压： | 是 |
| 升压： | 无 |
| 回扫： | 无 |
| 反相： | 无 |
| 倍增器： | 无 |
| 除法器： | 无 |
| Cuk： | 无 |
| 隔离： | 无 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 32-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | CS5301GDWR32GOSCT |
CS5301
Current Limit
6. VILIM + RL IOUT(LIM)
CS to ILIM Gain
+ 2.0 m W 75 A
+ 975 mV
Adaptive Positioning
6.5
8. D VDRP + RL IOUT
Current Sense to VDRP Gain
+ 2.0 m W 60 A 3.1
+ 372 mV
RVDRP + D VDRP RVFB D VOUT
+ 372 mV 16.7 k W 75 mV
+ 82 k W
7. RVFB + NL Position VFB Bias Current
+ 100 mV 6.0 m A + 16.7 k W
+12 V
+5.0 V
D1
D3
+12 V
BAT54S
BAT54S
L4
300 nH
D2
BAS16LT1
C12
1.0 nF
R10
10 K
C1
1.0 m F
C3
1.0 m F
C2
1.0 m F
+ C15,16
2 × 16SP180M
+5.0 V
Q1
CS1
C11
1.0 nF
C4
R3
R4
1.0 W
L1
1.0 m F
0.1 m F
56.2 K
C10
1.0 nF
R9
36.5 k
R8
191 k
COMP
V FB
V DRP
U1
R OSC
V CCL
V CCL1
C14
1.0 m F
Q2
C17?24
8 × 4SP560M
R11
10 k
CS1
CS2
Gate(L)1
GND1
+5.0 V
CS3
CS REF
Gate(H)1
V CCH12
Q3
CS2
PWRGD
V ID0
V ID1
V ID2
R12
20 K
PWRGD
V ID0
V ID1
V ID2
V ID3
V ID4
PWRGDS
I LIM
REF
Gate(H)2
GND2
Gate(L)2
V CCL23
Gate(L)3
GND3
Gate(H)3
V CCH3
LGND
Q4
L2
1.0 m F
C25?32
8 × 10 m F
V ID3
V ID4
R1
3.09 k
R2
C5
0.1 m F
Q5
CS3
L3
V CORE
2.00 k
1.0 m F
R5
30 k
R6
30 k
C6
.01 m F
C7
.01 m F
R7
30 k
CS3
Q6
C8
.01 m F
CS1
C9
.01 m F
CS2
Q1?Q6, NTB85N03 or NTB85N03T4 by ON Semiconductor
Figure 16. Additional Application Diagram,
12 V to 1.75 V, 45 A for AMD Athlon E Processor
http://onsemi.com
18
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