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参数资料
| 型号： | CY7C1177V18-333BZXC |
| 厂商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 2M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件页数： | 21/27页 |
| 文件大小： | 648K |
| 代理商： | CY7C1177V18-333BZXC |
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CY7C1166V18, CY7C1177V18
CY7C1168V18, CY7C1170V18
Document Number: 001-06620 Rev. *D
Page 3 of 27
Logic Block Diagram (CY7C1168V18)
Logic Block Diagram (CY7C1170V18)
CLK
A(18:0)
Gen.
K
Control
Logic
Address
Register
R
ead
Add.
Decode
Read Data Reg.
R/W
DQ[17:0]
Output
Logic
Reg.
18
36
18
BWS[1:0]
VREF
W
rite
Add.
Decode
18
LD
Control
19
512
K
x
18
Ar
ray
512K
x
18
Array
Write
Reg
Write
Reg
CQ
R/W
DOFF
QVLD
18
CLK
A(17:0)
Gen.
K
Control
Logic
Address
Register
Read
Add.
D
e
code
Read Data Reg.
R/W
DQ[35:0]
Output
Logic
Reg.
36
72
36
BWS[3:0]
VREF
W
rite
Add.
D
e
cod
e
36
LD
Control
18
256K
x
36
Arr
a
y
256K
x
36
Array
Write
Reg
Write
Reg
CQ
R/W
DOFF
QVLD
36
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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