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参数资料
| 型号： | DMN2020LSN-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 9.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1149pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 610mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SC-59-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN2020LSN-7DIDKR |
DMN2020LSN
0.06
0.05
0.04
0.03
V GS = 4.5V
0.04
V GS = 1.8V
0.03
0.02
T A = 150°C
T A = 125°C
0.02
0.01
0
V GS = 2.5V
V GS = 4.5V
0.01
0
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18
20
0
2
4
6 8 10 12 14 16 18 20
1.6
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
0.04
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.4
0.03
1.2
1.0
V GS = 4.5V
I D = 500mA
0.02
V GS = 2.5V
I D = 5A
V GS = 2.5V
0.8
0.6
0.4
I D = 150mA
0.01
0
V GS = 4.5V
I D = 10A
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
1.8
1.6
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
1.4
1.2
1.0
I D = 1mA
15
T A = 25°C
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I D = 250μA
10
5
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0.4
0.6 0.8 1 1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
DMN2020LSN
Document number: DS31946 Rev. 3 - 2
3 of 6
www.diodes.com
August 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| DMN2027USS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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