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参数资料
| 型号： | DMN2020LSN-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 9.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1149pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 610mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SC-59-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN2020LSN-7DIDKR |
DMN2020LSN
1,800
1,600
f = 1MHz
10,000
1,400
1,200
1,000
C iss
1,000
T A = 150°C
T A = 125°C
100
800
600
400
10
T A = 85°C
T A = 25°C
C oss
200
0
C rss
1
T A = -55°C
0
5 10 15
20
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18 20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Capacitance
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
D = 0.02
R θ JA = 205°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
D = 0.005
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
D = Single Pulse
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 11 Transient Thermal Response
Ordering Information
(Note 7)
Part Number
DMN2020LSN-7
Case
SC-59
Packaging
3000/Tape & Reel
Notes:
7. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
Marking Information
N1A = Product Type Marking Code
N1A
YM = Date Code Marking
Y = Year (ex: W = 2009)
M = Month (ex: 9 = September)
Date Code Key
Year
Code
2009
W
2010
X
2011
Y
2012
Z
2013
A
2014
B
2015
C
Month
Code
Jan
1
Feb
2
Mar
3
Apr
4
May
5
Jun
6
Jul
7
Aug
8
Sep
9
Oct
O
Nov
N
Dec
D
DMN2020LSN
Document number: DS31946 Rev. 3 - 2
4 of 6
www.diodes.com
August 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2028USS-13 | MOSFET N-CH 20V 7.3A SO8 |
| DMN2040LSD-13 | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.0A 8-SOIC |
| DMN2040LTS-13 | MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP |
| DMN2041L-7 | MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23 |
| DMN2041LSD-13 | MOSFET 2N-CH 20V 7.63A SO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2023LSD-13 | 功能描述:MOSFET NMOS-DUAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2027LK3 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2027LK3-13 | 功能描述:MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2027USS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2027USS-13 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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