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参数资料
| 型号： | DMN2020LSN-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 9.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1149pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 610mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SC-59-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN2020LSN-7DIDKR |
DMN2020LSN
Package Outline Dimensions
A
SC-59
Dim Min Max Typ
A
0.35 0.50 0.38
G
H
B C
B
C
D
G
H
J
1.50 1.70 1.60
2.70 3.00 2.80
- - 0.95
- - 1.90
2.90 3.10 3.00
0.013 0.10 0.05
K
N
M
K
L
1.00 1.30 1.10
0.35 0.55 0.40
M
0.10 0.20 0.15
J
D
L
N
α
0.70 0.80 0.75
0° 8° -
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Y
Dimensions Value (in mm)
Z 3.4
X
0.8
Z
DMN2020LSN
Document number: DS31946 Rev. 3 - 2
X
E
C
5 of 6
www.diodes.com
Y
C
E
1.0
2.4
1.35
August 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2028USS-13 | MOSFET N-CH 20V 7.3A SO8 |
| DMN2040LSD-13 | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.0A 8-SOIC |
| DMN2040LTS-13 | MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP |
| DMN2041L-7 | MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23 |
| DMN2041LSD-13 | MOSFET 2N-CH 20V 7.63A SO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2023LSD-13 | 功能描述:MOSFET NMOS-DUAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2027LK3 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2027LK3-13 | 功能描述:MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2027USS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2027USS-13 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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