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参数资料
| 型号： | DMN2028USS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 7.3A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 9.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1000pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.56W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN2028USS-13DIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMN2028USS
0.030
0.030
0.025
0.020
0.025
0.020
V GS = 4.5V
T A = 150°C
0.015
0.010
V GS = 2.5V
0.015
0.010
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0.005
V GS = 4.5V
0.005
T A = -55°C
0
0
5 10 15
20
0
0
5 10 15
20
1.6
1.4
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
0.030
0.025
0.020
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.2
0.015
V GS = 2.5V
I D = 5A
1.0
V GS = 2.5V
I D = 5A
0.010
V GS = 4.5V
0.8
0.6
-50
V GS = 4.5V
I D = 10A
-25 0 25 50 75 100 125 150
0.005
0
-50
I D = 10A
-25 0 25 50 75 100 125 150
3.0
2.5
2.0
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
20
16
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
1.5
12
8
T A = 25°C
1.0
I D = 1mA
0.5
I D = 250μA
4
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
DMN2028USS
Document number: DS32075 Rev. 3 - 2
5 of 8
www.diodes.com
October 2010
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2040LSD-13 | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.0A 8-SOIC |
| DMN2040LTS-13 | MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP |
| DMN2041L-7 | MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23 |
| DMN2041LSD-13 | MOSFET 2N-CH 20V 7.63A SO8 |
| DMN2050L-7 | MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2040LSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2040LSD-13 | 功能描述:MOSFET DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2040LTS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2040LTS-13 | 功能描述:MOSFET ENHANCE MODE MOSFET DUAL N-CHAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2041L | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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