- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录405 > DMN2028USS-13 (Diodes Inc)MOSFET N-CH 20V 7.3A SO8 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DMN2028USS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 7.3A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 9.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1000pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.56W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN2028USS-13DIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMN2028USS
10,000
f = 1MHz
10,000
1,000
T A = 150°C
1,000
100
C iss
C oss
C rss
100
10
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
10
0
5 10 15
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
20
1
0
5 10 15
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
20
Fig. 9 Typical Total Capacitance
Fig. 10 Typical Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
10
8
6
4
2
V DS = 15V
I D = 9.4A
0
0
5
10 15 20 25
30
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate-Charge Characteristics
DMN2028USS
Document number: DS32075 Rev. 3 - 2
6 of 8
www.diodes.com
October 2010
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2040LSD-13 | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.0A 8-SOIC |
| DMN2040LTS-13 | MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP |
| DMN2041L-7 | MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23 |
| DMN2041LSD-13 | MOSFET 2N-CH 20V 7.63A SO8 |
| DMN2050L-7 | MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2040LSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2040LSD-13 | 功能描述:MOSFET DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2040LTS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2040LTS-13 | 功能描述:MOSFET ENHANCE MODE MOSFET DUAL N-CHAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2041L | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。