型号: | DMN2400UFB-7 |
厂商: | Diodes Inc |
文件页数: | 3/6页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSF N CH 20V 750MA X1-DFN1006-3 |
标准包装: | 1 |
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 750mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 550 毫欧 @ 600mA,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 900mV @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 0.5nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 36pF @ 16V |
功率 - 最大: | 470µW |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 3-XFDFN |
供应商设备封装: | 3-X1DFN1006 |
包装: | 标准包装 |
其它名称: | DMN2400UFB-7DIDKR |